IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載查看詳情>流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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MCU、IGBT、傳感器…種類繁多且復(fù)雜，國(guó)產(chǎn)汽車芯何處飆車？
在電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化的推動(dòng)下，汽車產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)翻天覆地的變革，新的賽道也意味著新的機(jī)會(huì)，越來(lái)越多的國(guó)產(chǎn)初創(chuàng)企業(yè)和上市公司紛紛開始加碼，布局汽車電子行業(yè)，但面對(duì)復(fù)雜且種類繁多的汽車電子，國(guó)產(chǎn)廠商究竟該
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