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立方相GaN外延層的表面起伏和高密度孿晶與六角相

[摘要] 　利用掃描電子顯微鏡(SEM) 、原子力顯微鏡(AFM) 、透射電子顯微鏡(TEM) 和X射線衍射(XRD) 技術(shù)研究了低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(LP-MOCVD) 的立方相 GaN/ GaAs (001) 外延層的表面起伏特征,及其與外延層極性和內(nèi)部六角相、立方相微孿晶之間的聯(lián)系

下載說明: 文件大�。�0.1MB | 文件格式：PDF | 上網(wǎng)時間：2009-07-02

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